莱宝真空泵在半导体行业有广泛应用，以下是一些具体案例：
薄膜沉积工艺：在化学气相沉积（CVD）中，莱宝涡轮分子泵可为介电层（如SiO₂、SiN）、多晶硅、金属层的沉积提供10⁻⁶~10⁻⁸mbar的高真空环境，其干式运行避免了油污染，确保了薄膜纯度和均匀性。在物理气相沉积（PVD）的溅射镀膜工艺中，莱宝的MAGiNTEGRA系列涡轮分子泵能提供稳定真空基础，用于Al、Cu、Ti等金属层的沉积。
离子注入工艺：某半导体制造企业在离子注入工艺中，采用莱宝RUVACWH系列罗茨泵与干式前级泵组合，该组合具有快速抽空能力，可精确控制注入环境，满足离子注入工艺10⁻⁴~10⁻⁶mbar的工作压力要求，提升了芯片的电性能。
光刻工艺：莱宝DV450真空泵用于光刻工艺，其高抽速和低极限压强能够快速、有效地抽出光刻腔室中的气体，为光刻创造良好的真空条件，保证了光刻的精度和分辨率，同时其稳定性和可靠性也保证了光刻过程的连续进行，提高了生产效率和产品质量。
蚀刻工艺：某半导体制造企业使用莱宝D63L真空泵为其蚀刻工艺提供真空环境，有效提高了蚀刻的精度和均匀性，减少了芯片的缺陷率。此外，莱宝的COBRA干式泵因其耐腐蚀设计，可用于处理等离子蚀刻过程中的活性气体，精确控制反应气体和副产物排除。
先进封装工艺：在3D封装技术的TSV硅通孔工艺中，莱宝真空泵提供真空环境，实现深孔刻蚀和填充；在晶圆键合工艺中，也依靠莱宝真空泵营造的真空环境实现分子级键合。在倒装芯片封装的底部填充工艺中，真空辅助毛细流动，莱宝真空泵在此过程中发挥了重要作用。
更新时间：2025-10-31 
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